Cuauhtémoc, Ciudad de México. 6 de febrero 2025. La presidenta constitucional de los Estados Unidos Mexicanos, la Doctora Claudia Sheinbaum Pardo en conferencia de prensa matutina en el salón de la Tesorería de Palacio Nacional. Acompañan a la presidenta: Rosaura Ruiz Gutiérrez, Secretaría de Ciencia Humanidades Tecnología e Innovación; Raquel Buenrostro, Secretaria Anticorrupción y de Buen Gobierno; Santiago Nieto Castillo, director general del Instituto Mexicano de la Propiedad Industrial (IMPI); Edmundo Antonio Gutiérrez Domínguez, coordinador nacional del proyecto de semiconductores y director general de InnovaBienestar de México; Ramón Parra Michel, responsable en Guadalajara del Centro de Diseño; Alejandro Bautista Castillo, responsable en Puebla del Centro de Diseño; Alberto Sánchez Hernández, Director General de Cinvestav; David; Sánchez; de la Llave; Director; General; INAOE; Carlos Rubio González, Director General de CIDESI; Cecilia Noguez Garrido, Instituto de Física de la UNAM; Leticia Torres Guerra, Directora General de CIMAV; Alfonso Torres Jácome, Responsable del laboratorio de semiconductores en INAOE; Celina Peña Guzmán, secretaria de Ciencias, humanidades, Tecnología e Innovación de Puebla; Patricia Guzmán Velázquez, subsecretaria de desarrollo tecnológico, vinculación e innovación de Puebla; Cindy Blanco Ochoa, secretaria de Desarrollo Económico de Jalisco; Miguel Rocha Pérez, diseñador senior de INAOE; Rocío Jáuregui, Laboratorio Nacional de Materia Ultrafria e Información Cuántica. UNAM y Noemí Juárez Pérez, subsecretaria de Educación Básica. Foto: Juan Carlos Buenrostro /Presidencia
- Es parte del Plan México para hacer del país una potencia científica y tecnológica y se proyecta que los primeros centros de diseño estén en Puebla, Jalisco y Sonora
- Se estima que para 2027 el centro de diseño se consolide en la producción de semiconductores para industria automotriz, de electrodomésticos, equipos médicos, entre otros dispositivos
Con el objetivo de hacer de México una potencia científica y tecnológica, la Presidenta de México, Claudia Sheinbaum Pardo, anunció la creación del Centro Nacional de Diseño de Semiconductores “Kutsari”, en el cual científicos mexicanos de instituciones públicas de educación superior podrán desarrollar nuevos diseños de este tipo de dispositivos, los cuales podrán patentarse de acuerdo a estándares internacionales que protejan la innovación, a partir de modificaciones a la Ley Federal de Protección a la Propiedad Industrial (LFPPI).
“El Centro de Diseño de Semiconductores Kutsari o Proyecto Kutsari: Centro Nacional de Diseño de Semiconductores, es la unión de muchos científicos, desarrolladores tecnológicos, de instituciones públicas de educación superior, que van a poner toda su inteligencia, diseño, creatividad, para generar nuevos diseños de semiconductores”, explicó.
Precisó que, con los cambios a la Ley, se acelerará el proceso para registrar las innovaciones tecnológicas en un tiempo menor al que se realiza actualmente, con lo cual los semiconductores podrán pasar del diseño a líneas de producción para su venta.
“Vamos a acelerar todo el proceso de patentes para que puedan venderse, combinarse con la empresa pública, con la empresa privada, para el desarrollo; que no solamente se quede en el diseño, que ya sería suficiente, porque entonces está patentado por una institución de educación superior y sus investigadores, y puede comercializarse o puede incorporarse a una empresa pública, privada o mixta para una línea de producción de semiconductores.
Informó que las sedes del Centro de Diseño de Semiconductores “Kutsari” —que significa “arena” en purépecha— estarán ubicadas en Puebla, Jalisco y Sonora, donde el desarrollo de este tipo de tecnologías forma parte del Plan Sonora y serán coordinados a partir del Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica (INAOE) y el Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del Instituto Politécnico Nacional (CINVESTAV), pero además contarán con la participación de la Universidad Nacional Autónoma de México (UNAM) y del Instituto Politécnico Nacional (IPN).
“Es algo muy bueno para el país. Ya hay mucha investigación en México, ahora lo que estamos haciendo es poner todas estas mentes juntas”, aseguró.
Destacó que el desarrollo de semiconductores es parte del Plan México, el cual tiene el objetivo que se produzca más productos en el país con la colaboración de la iniciativa privada nacional y de inversiones extranjeras que se instalen a partir del desarrollo regional para que con ello se dé paso a las innovaciones científicas y tecnológicas en territorio nacional.
“Queremos que haya desarrollo científico y tecnológico en México que permita la producción de innovaciones de todo tipo en nuestro país, entonces sí es parte del Plan México”, puntualizó.
La secretaria de Ciencia, Humanidades, Tecnología e Innovación, Rosaura Ruiz Gutiérrez, precisó que el proyecto cubrirá varios aspectos: proponer un marco legal y normativo para fortalecer la maduración y transferencia de tecnología en el tema; promover ecosistemas que incluyan toda la cadena de proveeduría en Polos de Desarrollo e incentivar la producción tecnológica en electrónica de semiconductores.
El coordinador nacional del Proyecto de Semiconductores y director general de Innovación Bienestar de México, Edmundo Gutiérrez Domínguez, explicó que la industria de los semiconductores tiene una proveeduría de tres eslabones: uno, el diseño, dos, la fabricación y tres, la prueba, encapsulamiento y ensamblaje de los chips.
Por lo que para su desarrollo se estableció una estrategia la elaboración de una política pública que dé sustento al programa para el desarrollo de la industria alineado con el Plan México, en el que se incluye la creación del Centro Nacional de Diseño de Semiconductores “Kutsari”, que se consolidará para el 2027.
En este se aprovechará la experiencia científica mexicana que será desarrollada a lo largo de cuatro décadas para, en una primera instancia, proporcionar soluciones para el mercado local y global en la industria automotriz, de electrodomésticos, equipos médicos, entre otros dispositivos estratégicos para el país.
Anunció que, además se creará un Programa de Capacitación Acelerada de diseñadores, para consolidar el Centro Nacional de Diseño de Semiconductores, así como para proporcionar servicios de capacitación a otros centros de diseño tanto en el sector público como en el privado.
Mientras que, en una segunda etapa, hacia el 2026 se plantea la definición del modelo de fabricación de semiconductores, es decir considerar una empresa pública, privada o mixta, para la construcción de una fábrica que podría consolidarse en el 2029 y posteriormente para el 2030 garantizar los tres eslabones de la cadena de proveeduría de semiconductores.
La secretaria de Anticorrupción y Buen Gobierno, Raquel Buenrostro Sánchez, informó que los semiconductores pueden ser un sector estratégico en México y, por ello, se modificará la LFPPI para homologarla a los estándares internacionales y que los científicos estén seguros de que sus innovaciones están realmente protegidas, a través de un derecho de apartado durante un periodo de 12 meses, así como para incrementar la velocidad en la que se realizan los trámites para reducir el tiempo de más de cuatro a tres años.
El director general del Instituto Mexicano de Propiedad Industrial (IMPI), Santiago Nieto Castillo, dijo que los cambios a la LFPPI se plantean otorgar una patente provisional para tener el derecho al apartado y con ello garantizar que la innovación no sea registrada en ninguna otra parte del mundo, además se busca reivindicar la titularidad de los derechos, cuando se acredite un plagio en la generación de la patente.
Anunció que también junto a la Secretaría de Ciencia, Humanidades, Tecnología e Innovación se está trabajando para que un grupo de personas, a través de una cláusula de confidencialidad puedan examinar 48 mil patentes que están pendiente de análisis en el país.
Acompañaron a la Presidenta de México, el director general del Cinvestav, Alberto Sánchez Hernández; el director general de INAOE, David Sánchez de la Llave, el responsable en Guadalajara del Centro de Diseño, Ramón Parra Michel; el responsable en Puebla del Centro de Diseño, Alejandro Bautista Castillo; el director general de CIDESI, Carlos Rubio González; del Instituto de Física de la UNAM, Cecilia Noguez Garrido; la directora general de CIMAV, Leticia Torres Guerra.
Así como, el responsable del laboratorio de Semiconductores en INAOE, Alfonso Torres Jácome; la secretaria de Ciencias, Humanidades, Tecnología e Innovación de Puebla, Celina Peña Guzmán; la subsecretaria de Desarrollo Tecnológico, Vinculación y Desarrollo de Puebla, Patricia Guzmán Velázquez; la secretaria de Desarrollo Económico de Jalisco, Cindy Blanco Ochoa; el diseñador Senior de INAOE, Miguel Rocha Pérez y del Laboratorio Nacional de Materia Ultrafria e Información Cuántica, Rocío Jáuregui.
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